Лео Эсаки (яп. 江崎 玲於奈 Эсаки Рэона^?, известен также как Рэона Эсаки или Леона Эсаки; род. 12 марта 1925, Осака, Япония) — японский физик, лауреат Нобелевской премии по физике в 1973 году. Половина премии, совместно с Айвором Джайевером, «за экспериментальные открытия туннельных явлений в полупроводниках и сверхпроводниках». Вторая половина присуждена Б. Д. Джозефсону «за теоретическое предсказание свойств тока, проходящего через туннельный барьер, в частности явлений, общеизвестных ныне под названием эффектов Джозефсона». Лео Эсаки также известен как изобретатель диода Эсаки, использующего эффект туннелирования электрона.

Лео Эсаки изучал физику в Токийском университете, получил степень бакалавра в 1947 году, степень доктора философии в 1959 году. Нобелевскую премию получил за исследования, проведённые в 1958 году во время работы в компании Sony. Впоследствии в 1960 году переехал в США и стал работать в исследовательском центре фирмы IBM, где был удостоен звания лауреата IBM в 1967 году.

Награды

• Лауреат премии Японии (1998)

Лео ЭСАКИ, 1973 г. За экспериментальные открытия туннельных явлений в полупроводниках и сверхпроводниках.

Ссылки

• Информация с сайта Нобелевского комитета  (англ.)
• Л.Эсаки. «Путешествие в страну туннелирования». Нобелевская лекция, УФН, том 116, выпуск 4, август 1975
• Информация фирмы IBM  (англ.)
• Информация с сайта организации IEEE  (англ.)
• История открытия на сайте фирмы Sony  (англ.)